金沢工業大学 山口敦史研究室

トップ
プロフィール
メンバー
研究内容
研究環境
研究業績
連絡
リンク
研究業績一覧 (更新中)

査読あり論文(含む会議抄録)

Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Kunihiko Tasai, Atsushi A. Yamaguchi, and Shigetaka Tomiya, "InGaN quantum wells with improved photoluminescence properties through strain-controlled modification of the InGaN underlayer", Jpn J. Appl. Phys. 58, SCCB28 (2019).

(招待論文) A.A. Yamaguchi, N. Shimizu, S. Sakai, T. Nakano, H. Fukada, Y. Kanitani, and S. Tomiya, "Estimation of internal quantum efficiency in III-nitride materials using simultaneous photo-acoustic and photoluminescence measurements", SPIE Photonics West 2018, 10532-62 (PW18O-OE107-15) (2018).

(招待論文) Atsushi A. YAMAGUCHI, Kohei KAWAKAMI, Naoto SHIMIZU, Yuchi TAKAHASHI, Genki KOBAYASHI, Takashi NAKANO, Shigeta SAKAI, Yuya KANITANI, and Shigetaka TOMIYA, "A Novel Method to Measure Absolute Internal Quantum Efficiency in III-Nitride Semiconductors by Simultaneous Photo-Acoustic and Photoluminescence Spectroscopy", IEICE TRANS. ELECTRON., VOL.E101–C, NO.7 (2018).

Takashi Fujita, Shigeta Sakai, Yuma Ikeda, Atsushi A. Yamaguchi, Yuya Kanitani and Shigetaka Tomiya, Theoretical and Experimental Studies on Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Layers, 2018 IEEE ISLC, 978-1-5386-6486-5/18, pp131-132 (2018).

Itsuki Oshima, Yuma Ikeda, Shigeta Sakai, Atsushi A. Yamaguchi, Yuya Kanitani, and Shigetaka Tomiya, "A New Method to Evaluate the Degree of Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Laser Diodes by Optical-Pump Stimulated-Emission Measurements", 2018 IEEE ISLC, 978-1-5386-6486-5/18, pp209-210 (2018).

Shigeta Sakai, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Atsushi A. Yamaguchi, "Determination of Deformation Potentials in InGaN Alloy Material for Theoretical Prediction of Optical Gain Characteristics in Semipolar and Nonpolar InGaN Quantum Wells Laser Diodes", 978-1-5386-6486-5/18, pp135-140 (2018).

(招待論文) Atsushi A. Yamaguchi, Takashi Nakano, Shigeta Sakai, Haruki Fukada, Yuya Kanitani, and Shigetaka Tomiya, "Carrier dynamics studies of III-nitride materials using photo-acoustic and photoluminescence measurements", Proc. SPIE 10104, Gallium Nitride Materials and Devices XII, 1010409 (2017).

Shigeta Sakai, Keigo Matsuura, and Atsushi A. Yamaguchi, "Enhancement of optical gain by controlling waveguide modes in semipolar InGaN quantum well laser diodes", Phys. Status Solidi B, 1600746 (2017),

A. A. Yamaguchi, T. Minami, S. Sakai, K. Kojima and S. F. Chichibu, "Alloy-compositional-fluctuation effects on optical gain characteristics in AlGaN and InGaN quantum-well laser diodes," 2016 International Semiconductor Laser Conference (ISLC), Kobe, 2016, pp. 1-2.

Shigeta Sakai, Atsushi A. Yamaguchi, Kaori Kurihara, and Satoru Nagao, "Possible origin of double-peak emission in InGaN quantum wells on m-plane free-standing GaN substrates", Jpn. J. Appl. Phys. 55, 05FG08 (2016).

K. Kawakami, T. Nakano, and A. A. Yamaguchi, "Analysis of radiative and non-radiative lifetimes in GaN using accurate inter-nal-quantum-efficiency values estimated by simultaneous photoluminescence and photo-acoustic measurements", Proc. SPIE Photonics West 2016, San Francisco, US, Vol.9748-27, pp.1-6 (2016).

T. Nakano, K. Kawakami, and A. A. Yamaguchi, "Determination of internal quantum ef-ficiency in GaN by simultaneous meas-urements of photoluminescence and pho-to-acoustic signals", Proc. SPIE Photonics West 2016, San Francisco, US, Vol.9748-67, pp.1-7 (2016).

Shigeta Sakai, Atsushi A. Yamaguchi, "Theoretical analysis of optical polarization properties in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells for precise determination of valence-band parameters in InGaN alloy material", Phys. Status Solidi B 252, No. 5, 885–889 (2015).

(招待論文) Atsushi A. Yamaguchi, "Optical Polarization Properties and Carrier Recombination Dynamics in InGaN Quantum Wells", Proc. 2nd International Symposium on Advanced Materials Having Mul-ti-Degrees-of-Freedom, Kumamoto, Japan, pp.94-95 (2015).

Shouichiro Izumi, Masaki Minami, Michiru Kamada, Tetsuya Tatsumi, Atsushi A. Yamaguchi, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, and Shigetaka Tomiya, "Photoluminescence Study of Plasma-Induced Damage of GaInN Single Quantum Well", Jpn. J. Appl. Phys. 52, 08JL09 (2013).

Akiko Okada, Shuichi Shoji, Hidetoshi Shinohara, Hiroshi Goto, Haruo Sunakawa, Toshiharu Matsueda, Akira Usui, Atsushi A. Yamaguchi, and Jun Mizuno, "Fabrication of Low Dislocation Density GaN Template by Nano-channel FIELO Using Nanoimprint Lithography", J. Photopolym. Sci. Technol., Vol. 26, No. 1 (2013).

Chiaki Sasaoka, Fumito Miyasaka, Tomoaki Koi, Masahide Kobayashi, Yasuhiro Murase, Yuji Ando and Atsushi A. Yamaguchi, "Surface Morphologies and Optical Properties of Si Doped InGaN Multi-Quantum-Well Grown on Vicinal Bulk GaN(0001) Substrates", Jpn. J. Appl. Phys. 52 115601 (2013).

Akira Usui, Toshiharu Matsueda, Hiroki Goto, Haruo Sunakawa, Yasuharu Fujiyama, Yujiro Ishihara, Akiko Okada, Shuichi Shoji, Atsushi A. Yamaguchi, Hiromi Nishihara, Hidetoshi Shinohara, Hiroshi Goto, and Jun Mizuno, "GaN Lateral Overgrowth by Hydride Vapor Phase Epitaxy through Nanometer-Size Channels Fabricated with Nanoimprint Lithography", Jpn. J. Appl. Phys. 52, 08JB02 (2013).

A. Usui, H. Goto, T. Nakagawa, H. Sunakawa, T. Matsueda, A. Okada, J. Mizuno, A.A. Yamaguchi, H. Shinohara, and H. Goto, "Growth of High-Quality GaN Template From Nanometer-Size Lattice Channels By Hydride Vapor Phase Epitaxy", ECS Transactions, 58 (4) 25-31 (2013).

Huiyuan Geng, Haruo Sunakawa, Norihiko Sumi, Kazutomi Yamamoto, A. Atsushi Yamaguchi, and Akira Usui, "Growth and strain characterization of high quality GaN crystal by HVPE", J. Crystal Growth 350, pp.44-49 (2012).

Atsushi A. Yamaguchi, and Kazunobu Kojima, "Optical polarization and anisotropic gain characteristics in semipolar and nonpolar InGaN quantum well lasers", Phys. Status Solidi C 9, No. 3–4, 834–837 (2012).

Atsushi A. Yamaguchi, and Kazunobu Kojima, "A simple theoretical approach to analyze polarization properties in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells", Appl. Phys. Lett. 98, 101905 (2011).

Takeyoshi Onuma, Naoyuki Sakai, Takashi Okuhata, Atsushi A. Yamaguchi, and Tohru Honda, "Surface recombination of hexagonal GaN crystals", Phys. Status Solidi C 8, No. 7–8, 2321–2323 (2011).

Yasuhiro Ebihara, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi, and Atsushi A. Yamaguchi, "Intrinsic origin of the breakdown of quasi‐cubic approximation in nitride semiconductors", Phys. Status Solidi C 8, No. 7–8, 2279–2281 (2011).

A. Atsushi Yamaguchi, "Theoretical investigation of optical polarization properties in Al-rich AlGaN quantum wells with various substrate orientations", Appl. Phys. Lett. 96, 151911 (2010).

Ryota Ishii, Akio Kaneta, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, and Atsushi A. Yamaguchi, "All deformation potentials in GaN determined by reflectance spectroscopy under uniaxial stress: Definite breakdown of the quasicubic approximation", Phys. Rev. B 81, 155202 (2010).

A. Atsushi Yamaguchi, "Theoretical investigation on polarization control of semipolar-oriented InGaN quantum-well emission using (Al)InGaN alloy substrates", Appl. Phys. Lett. 94, 201104 (2009).

A. Atsushi Yamaguchi, "Valence band engineering for remarkable enhancement of surface emission in AlGaN deep‐ultraviolet light emitting diodes", phys. stat. sol. (c) 5, No. 6, 2364–2366 (2008).

A. Atsushi Yamaguchi, "Anisotropic optical matrix elements in strained GaN‐quantum wells with various substrate orientations", phys. stat. sol. (c) 5, No. 6, 2329–2332 (2008).

A. Atsushi Yamaguchi, "Anisotropic Optical Matrix Elements in Strained GaN Quantum Wells on Semipolar and Nonpolar Substrates", Jpn. J Appl. Phys. Vol. 46, No. 33, pp. L789–L791 (2007).

A. A. Yamaguchi, M. Kuramoto, M. Nido and M. Mizuta, "An alloy semiconductor system with a tailorable band-tail and its application to high-performance laser operation: I. A band-states model for an alloy-fluctuated InGaN-material system designed for quantum well laser operation", Semicond. Sci. Technol. 16, pp.763–769 (2001).

A. Atsushi Yamaguchi, Yasunori Mochizuki, and Masashi Mizuta, "Optical Recombination Processes in High-Quality GaN Films and InGaN Quantum Wells Grown on Facet-Initiated Epitaxial Lateral Overgrown GaN Substrates", Jpm. J. Appl. Phys. Vol. 39 No.4B, pp.2402-2406 (2000).

Kenji Kobayashi, A. Atsushi Yamaguchi, Shigeru Kimura, Haruo Sunakawa, Akitaka Kimura, and Akira Usui, "X-Ray Rocking Curve Determination of Twist and Tilt Angles in GaN Films Grown by an Epitaxial-Lateral-Overgrowth Technique", Jpn. J. Appl. Phys. 38 L611 (1999).

Masaru Kuramoto, Chiaki Sasaoka, Yukihiro Hisanaga, Akitaka Kimura, A. Atsushi Yamaguchi, Haruo Sunakawa, Naotaka Kuroda, Masaaki Nido, Akira Usui, and Masashi Mizuya, "Room-Temperature Continuous-Wave Operation of InGaN Multi-Quantum-Well Laser Diodes Grown on an n-GaN Substrate with a Backside n-Contact", Jpn. J. Appl. Phys. 38 L184 (1999).

Akira Usui, Haruno Sunakawa, Akira Sakai, and A. Atsushi Yamaguchi, "Thick GaN Epitaxial Growth with Low Dislocation Density by Hydride Vapor Phase Epitaxy", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 36 pp.L899-L902 (1997).

Kenichi Nishi, A. Atsushi Yamaguchi, Jouni Ahopelto, Akira Usui, and Hiroyuki Sakaki, "Analyses of localized confinement potential in semiconductor strained wires and dots buried in lattice‐mismatched materials", J. Appl. Phys. 76, 7437 (1994).

A. Atsushi Yamaguchi, Kenichi Nishi, and Akira Usui, "Anisotropic Optical Matrix Elements in Quantum Wells with Various Substrate Orientations", Jpn. J. Appl. Phys. 33 L912 (1994).

Jouni Ahopelto, A. Atsushi Yamaguchi, Kenichi Nishi, Akira Usui, and Hiroyuki Sakaki, "Nanoscale InP Islands for Quantum Box Structures by Hydride Vapor Phase Epitaxy", Jpn. J. Appl. Phys. 32 L32 (1993).


書籍

(招待) 山口 敦史,『”プリンキピア”を読み解く』, 日経サイエンス2018年10月号,日経サイエンス,2018年,pp.42-50.

(招待) 山口 敦史,『現代の若者の工業教育について』, 工学教育協会,2017年,Vol. 65, No. 6, pp.116.

(招待) 山口 敦史,『光学的評価の基礎と実践』,結晶光学スクールテキスト 結晶工学の基礎,鍋谷 暢一,第13版,東京都,(公社)応用物理学会 結晶工学分科会,2016年,pp.175-191.

岡田 愛姫子,庄子 習一,水野 潤,篠原 秀敏,後藤 博史,砂川 晴夫,松枝 敏晴,碓井 彰,山口 敦史,”UVナノインプリントによる低転位GaN基板作製”,クリーンテクノロジー Vol.5, No.5, pp.64 - 66 (2015).

山口 敦史,『窒化物半導体LEDの偏光特性』,月刊ディスプレイ17巻5号, ディスプレイ編集委員会,2011年,pp.43-49. 碓井 彰,砂川 晴夫,鷲見 紀彦,山本 一富,耿 慧遠,山口 敦史,『ハイドライド気相成長法による高品質 GaN 結晶の育成』,J. Vac. Soc. Jpn. Vol. 54, No. 6 (2011).

山口 敦史,『窒化物半導体量子井戸の偏光特性』,応用物理77巻9号,公益社団法人応用物理学会.2008年,pp.1093-1097.


国際会議

Takashi Fujita, Shigeta Sakai, Yuma Ikeda, Atsushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo and Shigetaka Tomiya, "Experimental Studies and Model Analysis on Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Layers", International Conference on Solid State Devices and Materials 2019, Nagoya, Aichi, Japan, F-2-05 (2019).

Keito Mori, Yuchi Takahashi, Atsushi A. Yamaguchi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo and Shigetaka Tomiya “Measurements of Internal Quantum Efficiency in Various InGaN Single Quantum Wells with Different Qualities by Simultaneous Photoacoustic and Photoluminescence Spectroscopy” 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019, Bellevue, Washington, USA, A11.07, 10th July (2019).

Takashi Fujita, Shigeta Sakai, Yuma Ikeda, Atsushi A. Yamaguchi, Yuya Kanitani and Shigetaka Tomiya, "Theoretical and Experimental Studies on Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Layers", 26th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2018), P9 (2018).

Itsuki Oshima, Yuma Ikeda, Shigeta Sakai, Atsushi A. Yamaguchi, Yuya Kanitani, and Shigetaka Tomiya, "Evaluation of Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Laser Diodes by Optical-Pump Stimulated-Emission Measurements", 26th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2018), P48 (2018).

Masaki Eguchi, Masahisa Shinoda, Atushi A. Yamaguchi, "Application of Grating to Diverge Beam Emitting from Laser Diode for Backlight of Liquid Crystal Display",23th Microoptics Conference (MOC2018), P-42 (2018).

Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Kunihiko Tasai, Atsushi A. Yamaguchi, and Shigetaka Tomiya, "InGaN quantum wells with improved photoluminescence properties through strain-controlled modification of InGaN underlayer", International Waorkshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), CR15-2 (2018).

(招待講演) Atsushi A. Yamaguchi, "Electronic structures and optical properties of AlGaN materials and their quamtum-well systems", International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017) (2017).

(招待講演) Atsushi A. Yamaguchi, Naoto Shimizu, Shigeta Sakai, Haruki Fukada, Yuya Kanitani, and Shigetaka Tomiya, "Carrier Dynamics Studies of III-nitride Using Simultaneous Photo-Acoustic and Photoluminescence Measurements", The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017), M5.4, Banff, Canada (2017).

(招待講演) Atsushi A. Yamaguchi, Naoto Shimizu, Shigeta Sakai, Haruki Fukada, Yuya Kanitani, and Shigetaka Tomiya, "Carrier dynamics studies of III-nitride materials using photo-acoustic and photoluminescence measurements", 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2017), A11.1, Strasbourg, France (2017).

Shigeta Sakai, Takuto Minami, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, and Atsushi A. Yamaguchi, "Quantum-wire-like density of states in c-plane AlGaN quantum wells in polarization-crossover composition region", 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS2017), E.01.6, Strasbourg, France, 2017.

(招待講演) Atsushi A. Yamaguchi, Takashi Nakano, Shigeta Sakai, Haruki Fukada, Yuya Kanitani, and Shigetaka Tomiya, IQE quantication of nitride semiconductors -Simultaneous photo-acoustic and photoluminescence measurements for InGaN quantum wells-", The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'17), LED-LDC1-3, Yokohama, Japan, 2017.

Atsushi A. Yamaguchi, Takuto Minami, Shigeta Sakai, Kazunobu Kojima, and Shigefusa F. Chichibu, "Alloy-compositional-uctuation effects on optical gain characteristics in AlGaN and InGaN quantum-well laser diodes", The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2016), WE60, Kobe, Japan (2016).

Atsushi A. Yamaguchi, "Enhancement of Optical Gain by Controlling Waveguide Modes in Semipolar InGaN QW Laser Diodes", The International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN 2016), Orland, USA (2016).

Ryohei Maeda, Shigeta Sakai, Atsushi A. Yamaguchi, Kaori Kurihara, and Satoru Nagao, "Optical polarization properties of nonpolar InGaN films measured by polarization-resolved photoluminescence excitation spectroscopy", The 7th Asia-Paci c Workshop on Widegap Semiconductors, TUA2-2, Seoul, Korea (2015).

(招待講演) Atsushi A. Yamaguchi, Yuga Nanbu, Hitoshi Manabe, Jun Mizuno, Akira Usui, "Optical Properties of Low-Dislocation-Density GaN Films Fab-ricated by Nano-channel Facet-Initiated Epitaxial Lateral Overgrowth", Energy Material Nan-otechnology Phuket Meeting 2015, Phuket, Thailand (2015).

Atsushi A. Yamaguchi, Shigeta Sakai, Kaori Kurihara, and Satoru Nagao, "Optical polarization properties in nonpolar InGaN quantum wells", 2015 Energy Materials and Nanotechnology East Meeting, B17, Beijing, China (2015).

(招待講演) Atsushi A. Yamaguchi, "Optical Polarization Properties and Carrier Recombination Dynamics in InGaN Quantum Wells", 2nd International Symposium on Advanced Materials Having Mul-ti-Degrees-of-Freedom, Kumamoto, Japan (2015).

Kaori Kurihara, Satoru Nagao, Atsushi A. Yamaguchi, "Narrow Emission Spectra and High Optical Output Power from Blue Multi-Quantum Well Structures on M-Plane GaN Substrates", The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) (2015).

Shigeta Sakai, Atsushi A. Yamaguchi, Kaori Kurihara, Satoru Nagao, "Possible Origin of Double-Peak Emission in InGaN Quantum Wells on m-Plane Free-Standing GaN Substrates", The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, We-B-2-65, Hamamatsu, Japan (2015).

(招待講演) Atsushi A. Yamaguchi, Ryohei Maeda, Shigeta Sakai, Kaori Kurihara, and Satoru Nagao, "Optical polarization properties of nonpolar InGaN films on GaN substrates", Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop, Su-9, Kyoto, Japan (2015).

Atsushi A. Yamaguchi, "Polarization properties in deep-ultraviolet AlGaN quantum wells with various substrate orientations, Phys. Status Solidi B 247, No. 7, 1717–1721 (2010).

Kazunobu Kojima, Atsushi A. Yamaguchi, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, and Susumu Noda, "Gain Anisotropy Analysis in Green Semipolar InGaN Quantum Wells with Inhomogeneous Broadening, Jpn J. Appl. Phys. 49, 081001 (2010).


国内学会

森 恵人,高橋 佑知,森本 悠也,山口 敦史,”光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸発光ダイオードの内部量子効率推定”2020年第67回応用物理学会春季学術講演会,千代田区,東京都,15a-A302-1 (2019).

高橋 佑知,佐藤 隆,三好 直哉,村上 明繁,皿山 正二,山口 敦史,”Naフラックス法で作製したGaN基板の光学特性”,2019年応用物理学会北陸・信越支部学術講演会,福井県,B01 (2019).

森 恵人,高橋 佑知,森本 悠也,山口 敦史,草薙 進,蟹谷 裕也,工藤 喜弘,冨谷 茂隆,”光音響・発光同時計測によるInGaN 量子井戸の内部量子効率の推定”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), (25) (2019).

藤田 貴志,坂井 繁太,池田 優真,山口 敦史,草薙 進,蟹谷 裕也,工藤 喜弘,冨谷 茂隆,”InGaN量子井戸におけるMobility Edgeの見積り方法に関する理論的・実験的研究”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), (24) (2019).

森 恵人,高橋 佑知,森本 悠也,山口 敦史,草薙 進,蟹谷 裕也,工藤 喜弘,冨谷 茂隆,”光音響・発光同時計測によるInGaN 量子井戸の内部量子効率の推定”,第2回結晶工学×ISYSE合同研究会,文京区,東京都,1P025 (2019).

藤田 貴志,坂井 繁太,池田 優真,山口 敦史,草薙 進,蟹谷 裕也,工藤 喜弘,冨谷 茂隆,”InGaN量子井戸のMobility edgeの見積り評価に関する実験的・理論的検討”, 第2回結晶工学×ISYSE合同研究会,文京区,東京都,1P024 (2019).

Takashi Fujita, Shigeta Sakai, Yuma Ikeda, Atsushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, and Shigetaka Tomiya, "Experimental Studies and Model Analysis on Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Layers", 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38), Kashihara, Nara, Th3-10 (2019).

Keito Mori, Yuchi Takahashi, Atsushi A. Yamaguchi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo and Shigetaka Tomiya, Measurements of Internal Quantum Efficiency in Various InGaN Single Quantum Wells with Different Qualities by Simultaneous Photoacoustic and Photoluminescence Spectroscopy” 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38), Kashihara, Nara, Th3-9 (2019).

森 恵人,高橋 佑知,山口 敦史,草薙 進,蟹谷 裕也,工藤 喜弘,冨谷 茂隆,”光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率測定”,2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会,札幌市,北海道,20a-E310-6 (2019).

藤田 貴志,坂井 繁太,池田 優真,山口 敦史,草薙 進,蟹谷 裕也,工藤 喜弘,冨谷 茂隆,”InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討”,2019年第66回応用物理学会秋季学術講演会,東京都,10a-W541-8 (2019).

(招待講演)山口 敦史,清水 奈緒人,高橋 佑知,小林 玄季,中紊 隆,坂井 繁太,蟹谷 裕也,冨谷 茂隆,”光音響・発光同時計測法による内部量子効率測定”,日本学術振興会第162委員会第107回研究会 (2018).

(招待講演)山口 敦史,清水 奈緒人,高橋 佑知,小林 玄季,中紊 隆,坂井 繁太,蟹谷 裕也,冨谷 茂隆,”発光・光音響同時計測による窒化物半導体の内部量子効率測定”,応用物理学会第13回励起ナノプロセス研究会 (2018).

大島 一輝,坂井 繁太,池田 優真,山口 敦史,蟹谷 裕也,冨谷 茂隆,”光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), 愛知県 (18) (2018).

藤田 貴志,坂井 繁太,池田 優真,山口 敦史,蟹谷 裕也,冨谷 茂隆,”InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), 愛知県 (17) (2018).

藤田 貴志,坂井 繁太,池田 優真,山口 敦史,蟹谷 裕也,冨谷 茂隆,”InGaN量子井戸の組成揺らぎについての実験的・理論的検討”,独立行政法人日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム”紫外発光デバイスの最前線と将来展望”,東京都,31 (2018).

大島 一輝,坂井 繁太,池田 優真,山口 敦史,蟹谷 裕也,冨谷 茂隆,”光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価”,独立行政法人日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム”紫外発光デバイスの最前線と将来展望”,東京都,30 (2018).

池田 優真,坂井 繁太,大島 一輝,山口 敦史,蟹谷 裕也,冨谷 茂隆,”InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), (3), 愛知県 (2017).

太田 有亮,坂井 繁太,山口 敦史,”InGaN発光ダイオードの光励起時のI-V特性/発光特性のモデル解析”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), (2), 愛知県 (2017).

清水 奈緒人,高橋 佑知,小林 玄季,中紊 隆,坂井 繁太,山口 敦史,蟹谷 裕也,冨谷 茂隆,”光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の測定”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), (1), 愛知県 (2017).

坂井 繁太,南 琢人, 小島 一信,秩父 重英,山口 敦史,”偏光遷移領域におけるc 面AlGaN量子井戸構造の量子細線型状態密度”,2017年第77回応用物理学会秋季期学術講演会,5a-A301-9,福岡 (2017).

(招待講演) 山口 敦史,中紊 隆,坂井 繁太,深田 晴己,蟹谷 裕也,冨谷 茂隆,”光音響・発光同時計測による窒化物半導体の内部量子効率の絶対測定”,2017年第64回応用物理学会春季学術講演会,14p-503-7,横浜 (2017).

坂井 繁太,松浦 圭吾,山口 敦史,”半極性InGaN量子井戸半導体レーザにおける導波路モードの理論研究”,2017年第64回応用物理学会春季学術講演会,17p-503-5,横浜 (2017).

松浦 圭吾,坂井 繁太,山口 敦史,”半極性面上InGaN量子井戸レーザにおける導波路モードの制御による光学利得の向上”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), (11), 京都府 (2016).

(記念講演) 河上 航平,中紊 隆,山口 敦史,”光音響・発光同時計測及び時間分解発光計測による窒化物半導体の内部量子効率と輻射・非輻射再結合寿命の測定”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), (4), 東京都 (2016).

中紊 隆,河上 航平,山口 敦史,”光音響・発光同時計測法を用いたGaNの内部量子効率の測定”,2016年第63回応用物理学会春季学術講演会,20a-H121-10,東京都 (2016).

河上 航平,中紊 隆,山口 敦史,”光音響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・非輻射再結合寿命の測定”,2016年第63回応用物理学会春季学術講演会,20a-H121-11,東京都 (2016).

南 琢人,小島 一信,繁太 坂井,秩父 重英,山口 敦史,”組成揺らぎを考慮したAlGaNおよびInGaN量子井戸における光学利得の理論的比較”,2016年第63回応用物理学会春季学術講演会,21a-H121-8,東京都 (2016).

尾崎 智,山口 敦史,後藤 裕輝,碓井 彰,”窒化物半導体LEDの光取出し効率向上のための電磁界解析シミュレーション”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), (1), 東京都 (2015).

中紊 隆,河上 航平,山口 敦史,”光音響・発光同時計測法を用いたGaNの内部量子効率の測定”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), (11), 東京都 (2015).

河上 航平,中紊 隆,山口 敦史,”光音響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・非輻射再結合寿命の測定”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), (10), 東京都 (2015).

(招待講演) 山口 敦史,中紊 隆,河上 航平,”光音響・発光同時計測法によるGaNの内部量子効率の測定”,日本学術振興会”ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会”第96回研究会 (2015).

坂井 繁太,山口 敦史,栗原 香,長尾 哲,”m面InGaN量子井戸におけるダブルピーク発光の起源”,2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会,16p-1D-3,愛知県 (2015).

前田 亮平,坂井 繁太,山口 敦史,栗原 香,長尾 哲,”偏光PLE分光法による無極性InGaN薄膜の偏光特性の測定”,2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会,16p-1D-2,愛知県 (2015).

南部 優賢,山口 敦史,後藤 裕輝,砂川 晴夫,松枝 敏晴,岡田 愛姫子,篠原 秀敏,後藤 博史,水野 潤,碓井 彰,”ナノインプリントリソグラフィを用いたナノチャネルFIELO法により作製されたGaNテンプレートの2次元歪みマッピング”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), (8), 大阪府 (2014).

坂井 繁太,山口 敦史,栗原 香,長尾 哲,”非極性InGaN量子井戸の偏光特性”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), (6), 大阪府 (2014).

栗原 香,長尾 哲,山口 敦史,”m面GaN基板上InGaN量子井戸の発光特性”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), (5), 大阪府 (2014).

栗原 香,長尾 哲,山口 敦史,”m面自立基板上のInGaN量子井戸層からの発光特性”,2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会,19a-C5-2,北海道 (2014).

坂井 繁太,山口 敦史,栗原 香,長尾 哲,”In組成の空間的ゆらぎが非極性InGaN量子井戸の偏光特性へ及ぼす影響”,2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会,19a-C5-3,北海道 (2014).

真鍋 仁志,河上 航平,後藤 裕輝,砂川 晴夫,松枝 敏晴,岡田 愛姫子,篠原 秀敏,後藤 博史,水野 潤,碓井 彰,山口 敦史,”窒化物半導体におけるABCモデルの時間分解PL測定による直接検証”,2014年第61回応用物理学会春季学術講演会,20p-E13-7, 東京都 (2014).

坂井 繁太,山口 敦史”半極性InGaN-QWs LDにおける光学利得の理論研究”,2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会,20p-B5-7,京都府 (2013).

南部 優賢,真鍋 仁志,内田 健太,山口 敦史,後藤 裕輝,砂川 晴夫,松枝 敏晴,岡田 愛姫子,篠原 秀敏,西原 浩巳,後藤 博史,水野 潤,碓井 彰,”ナノチャンネルFIELO法により作製した GaNテンプレートの光学特性”,2013年第60回応用物理学会春季学術講演会,28a-G21-7, 神奈川県 (2013).

山口 敦史,耿 慧遠,砂川 晴夫,石原 裕次郎,松枝 敏晴,碓井 彰,”顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), (18), 京都府 (2011).

山口 敦史,小島一信,”非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), (8), 大阪府 (2010).

山口 敦史,”非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), (21), 愛知県 (2008).

山口 敦史,”窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性”,電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), (1), 福井県 (2007).